8インチCの平らなサファイアの光学窓の高い硬度の安定性

大きいサイズのC平面の8インチの単一の側面の磨かれたサファイアのウエファー

サファイア（サファイア、別名白いサファイア、分子方式Al2O3）の単結晶は優秀な多機能材料である。それに高温抵抗、よい熱伝導性、高い硬度の、赤外線伝達およびよい化学安定性がある。企業、国防および科学研究の多くの分野で広く利用された（高温赤外線窓、等のような）。同時に、それはまた広く利用された単結晶の基質材料であり、すみれ色青のための最初の選択であり白い発光ダイオード（LED）および青レーザー（LD）はまた企業（サファイアの基質はエピタキシアル ガリウム窒化物のフィルムである最初に必要がある）、重要な超伝導のフィルムの基質である。

サファイアはよく軽い伝送および熱伝導性の単結晶材料である。同時に、優秀な温度の抵抗が原因で（融点2200°C）までおよび超高度の硬度（ダイヤモンドの10の硬度への二番目にだけMohsの硬度9.0までの）、サファイアの単結晶は軍の企業、精密機械のパネルの表面、上限の腕時計の表面、等のミサイルの指導窓で頻繁に使用される。

通常、GaNベースの材料のエピタキシアル層および装置はサファイアの基質で主に育つ。サファイアの基質に多くの利点がある:第一に、サファイアの基質の生産技術は成長して、装置質はよい;第二に、サファイアは非常に安定して、高温成長プロセスで使用することができる;最終的に、サファイアに高い機械強さがあり、扱い易いおよびクリーニング。従って、基質としてほとんどのプロセス一般使用のサファイア。

C平面のサファイアの基質がIII-Vを育てるのに使用され、II-VIのグループはフィルムを、青いLEDプロダクト、半導体レーザーおよび赤外線探知器の塗布を作り出すことができるガリウム窒化物のような沈殿させた。これは主にCの軸線に沿うサファイア ガラスの成長のプロセスが成長しているので、費用比較的低いあり、物理的な、化学特性は安定している。Cの表面のエピタキシアル成長のための技術は成長し、安定している。Cの軸線に水晶光沢があり、他の斧に否定的な光沢がある;Cの平面は平らであり、切れることが最善である。

R平面のサファイアのウエファー

基質で育つ別様に沈殿させたケイ素の外的に育てられた水晶はマイクロエレクトロニック集積回路で使用される。さらに、エピタキシアル ケイ素の成長およびフィルムの形成の過程において、高速集積回路および圧力センサーはまた形作ることができる。Rタイプの基質の成長はまた小山、他の超伝導の部品、抗力が高い抵抗器およびガリウム砒素の生産で使用することができる。切れること平面よりわずかに困難。

2インチのサファイアのウエファーのProducの条件

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